Infineon IRF2804STRLPBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 40V,RDS(ON) 1.8 Milliohms,ID 75A,D2Pak,PD 200W,VGS+/-20V

Мы рады предложить нашим клиентам продукцию Infineon с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].

В нашем ассортименте широкий выбор продукции Infineon и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.

Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте Infineon IRF2804STRLPBF. Бренд Infineon известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели Infineon, что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.

Для заказа продукта Infineon IRF2804STRLPBF или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.

Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.

Infineon IRF2804STRLPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	10.67 x 9.65 x 4.703 mm
Drain Current	210 A
Drain to Source On Resistance	2.5 mOhms
Drain to Source Voltage	40 V
Forward Transconductance	130 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.185" (4.703mm)
Input Capacitance	6450 pF @ 25 V
Length	0.42 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	D2PAK
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	200 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	160 nC
Turn Off Delay Time	130 ns
Turn On Delay Time	13 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	160 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	40 V
Width	0 in