Infineon IRF640NSPBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 200V,RDS(ON) 0.15Ohm,ID 18A,D2Pak,PD 150W,VGS+/-20V,-55C

Мы рады предложить нашим клиентам продукцию Infineon с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].

В нашем ассортименте широкий выбор продукции Infineon и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.

Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте Infineon IRF640NSPBF. Бренд Infineon известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели Infineon, что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.

Для заказа продукта Infineon IRF640NSPBF или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.

Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.

Infineon IRF640NSPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Dimensions	10.67 x 9.65 x 4.83 mm
Drain Current	18 A
Drain to Source On Resistance	0.15 Ohms
Drain to Source Voltage	200 V
Forward Transconductance	6.8 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.19" (4.83mm)
Input Capacitance	1160 pF @ 25 V
Length	0.42 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	D2PAK
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	150 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Resistance, Thermal, Junction to Case	1 °C/W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	67 nC
Turn Off Delay Time	23 ns
Turn On Delay Time	10 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 67 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	200 V
Width	0 in