Infineon IRF7413ZTRPBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 30V,RDS(ON) 8 Milliohms,ID 13A,SO-8,PD 2.5W,VGS +/-20V

Мы рады предложить нашим клиентам продукцию Infineon с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].

В нашем ассортименте широкий выбор продукции Infineon и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.

Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте Infineon IRF7413ZTRPBF. Бренд Infineon известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели Infineon, что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.

Для заказа продукта Infineon IRF7413ZTRPBF или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.

Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.

Infineon IRF7413ZTRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain ; Triple Source
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Drain Current	13 A
Drain to Source On Resistance	13 mOhms
Drain to Source Voltage	30 V
Forward Transconductance	62 S
Forward Voltage, Diode	1 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.059" (1.5mm)
Input Capacitance	1210 pF @ 15 V
Length	0.196 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	2.5 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	9.5 nC
Turn Off Delay Time	11 ns
Turn On Delay Time	8.7 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	9.5 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30 V
Width	0 in