- Домашняя страница
- Бренды
- Infineon
- IRF7799L2TR1PBF
Infineon IRF7799L2TR1PBF
Infineon IRF7799L2TR1PBF
IRF7799L2TR1PBF N-channel MOSFET Transistor, 375 A, 250 V, 11-Pin DirectFET L8Мы рады предложить нашим клиентам продукцию Infineon с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].
В нашем ассортименте широкий выбор продукции Infineon и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.
Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте Infineon IRF7799L2TR1PBF. Бренд Infineon известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели Infineon, что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.
Для заказа продукта Infineon IRF7799L2TR1PBF или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.
Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.
Infineon IRF7799L2TR1PBF Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Configuration | Dual Drain |
Dimensions | 9.15 x 7.10 x 0.496 mm |
Drain Current | 375 A |
Drain to Source On Resistance | 38 mΩ |
Drain to Source Voltage | 250 V |
Forward Transconductance | 54 S |
Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
Gate to Source Voltage | ±30 V |
Height | 0.02" (0.496mm) |
Input Capacitance | 6714 pF @ 25 V |
Length | 0.36" (9.15mm) |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 11 |
Package Type | DirectFET L8 |
Power Dissipation | 125 W |
Series | HEXFET Series |
Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
Turn Off Delay Time | 73.9 ns |
Turn On Delay Time | 36.3 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
Width | 0.28" (7.1mm) |