Infineon IRFB42N20DPBF
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 200V,RDS(ON) 0.055Ohm,ID 44A,TO-220AB,PD 330W,VGS +/-30VМы рады предложить нашим клиентам продукцию Infineon с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].
В нашем ассортименте широкий выбор продукции Infineon и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.
Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте Infineon IRFB42N20DPBF. Бренд Infineon известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели Infineon, что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.
Для заказа продукта Infineon IRFB42N20DPBF или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.
Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.
Infineon IRFB42N20DPBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 10.54 x 4.69 x 15.24 mm |
| Drain Current | 44 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.055 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 200 V |
| Forward Transconductance | 21 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
| Gate to Source Voltage | ± 30 V |
| Height | 0.6" (15.24mm) |
| Input Capacitance | 3430 pF @ 25 V |
| Length | 0.414 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-220AB |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 330 W |
| Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.45 °C/W |
| Series | HEXFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
| Total Gate Charge | 91 nC |
| Turn Off Delay Time | 29 ns |
| Turn On Delay Time | 29 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 200 V |
| Width | 0 in |