Infineon IRFP3703PBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 30V,RDS(ON) 2.3 Milliohms,ID 210A,TO-247AC,PD 230W,-55C

Мы рады предложить нашим клиентам продукцию Infineon с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].

В нашем ассортименте широкий выбор продукции Infineon и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.

Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте Infineon IRFP3703PBF. Бренд Infineon известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели Infineon, что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.

Для заказа продукта Infineon IRFP3703PBF или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.

Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.

Infineon IRFP3703PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	15.87 x 5.31 x 20.70 mm
Drain Current	210 A
Drain to Source On Resistance	3.9 mOhms
Drain to Source Voltage	30 V
Forward Transconductance	150 S
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.815" (20.7mm)
Input Capacitance	8250 pF @ 25 V
Length	0.625 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-247AC
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	230 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	209 nC
Turn Off Delay Time	53 ns
Turn On Delay Time	18 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	209 nC @ 10 v
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30 V
Width	0 in