NTE Electronics, Inc. NTE261
NTE Electronics, Inc. NTE261
Transistor, Darlington, Si, NPN, Amplifier, Power, Vo 100V, VI 5V, Io 5A, PD 65WМы рады предложить нашим клиентам продукцию NTE Electronics, Inc. с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].
В нашем ассортименте широкий выбор продукции NTE Electronics, Inc. и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.
Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте NTE Electronics, Inc. NTE261. Бренд NTE Electronics, Inc. известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели NTE Electronics, Inc., что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.
Для заказа продукта NTE Electronics, Inc. NTE261 или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.
Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.
NTE Electronics, Inc. NTE261 Specifications
Property | Value |
---|---|
Collector Current | 5 A |
Collector to Base Voltage | 100 V |
Collector to Emitter Voltage | 100 V |
Configuration | Common Base |
Continuous Collector Current | 5 A |
Device Dissipation | 65 W |
Dimensions | 10.67 L x 15.49 H mm |
Emitter to Base Voltage | 5 V |
Height | 0.61" (15.49mm) |
Input Voltage | 5 V |
Junction to Ambient Thermal Resistance | 62.5 °C⁄W |
Length | 0.42 in |
Material | Si |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum DC Current Gain | 1000 |
Minimum Operating Temperature | -65 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 2 |
Number of Pins | 3 |
Output Current | 5 A |
Output Voltage | 100 VDC |
Package Type | TO-220 |
Polarity | NPN |
Power Dissipation | 65 W |
Primary Type | Si |
Product Header | NPN Darlington Silicon Transistor |
Resistance, Thermal, Junction to Ambient | 62.5 °C/W |
Resistance, Thermal, Junction to Case | 1.92 °C⁄W |
Series | Transistor Series |
Temperature Operating Range | -65 to +150 °C |
Temperature Range, Junction, Operating | -65 to +150 C |
Transistor Polarity | NPN |
Transistor Type | NPN |
Type | Amplifier, Power |
UPC Code | 768249119616 |
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 100 V |
Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 4 V |