Siliconix / Vishay SI2318DS-T1-E3

N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

Мы рады предложить нашим клиентам продукцию Siliconix / Vishay с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].

В нашем ассортименте широкий выбор продукции Siliconix / Vishay и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.

Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте Siliconix / Vishay SI2318DS-T1-E3. Бренд Siliconix / Vishay известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели Siliconix / Vishay, что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.

Для заказа продукта Siliconix / Vishay SI2318DS-T1-E3 или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.

Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.

Siliconix / Vishay SI2318DS-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	3.04 x 1.4 x 1.02 mm
Drain Current	3.9 A
Drain to Source On Resistance	0.058 Ohms
Drain to Source Voltage	40 V
Fall Time	25 ns
Forward Transconductance	11 S
Forward Voltage, Diode	1.2 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.04" (1.02mm)
Input Capacitance	540 pF @ 20 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	100 °C/W
Length	0.119 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating and Storage Temperature	-55 to +150 C
Package Type	TO-236
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	1.25 W
Series	SI23 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	15 nC
Turn Off Delay Time	30 ns
Turn On Delay Time	10 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	10 nC @ 20 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	40 V
Width	0.055 in