Infineon IRF7311PBF

IRF7311PBF Dual N-channel MOSFET Transistor, 6.6 A, 20 V, 8-Pin SOIC

Müşterilerimize kendi ülkelerine teslim hizmetiyle Infineon ürünlerini sunmaktan mutluluk duyarız. Fiyatlandırma ve teslim süreleri hakkında detaylı bilgi almak için lütfen bizimle iletişime geçin. Talebinizde, ürün kodları ve istediğiniz detayları içeren bilgileri [email protected] adresimize göndermenizi rica ederiz.

Ürün yelpazemizde geniş bir Infineon seçeneği ve diğer modeller bulunmaktadır. Aradığınız modeli bulamazsanız, bize e-posta atabilir veya Teklif İste formunu doldurabilirsiniz. Firmamız sadece orijinal veya yeni ürünleri sunmaktadır. Bu konuda ayrıca bir talebiniz olursa lütfen bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.

Bu sayfada Infineon IRF7311PBF ürünüyle ilgili detaylı bilgi bulabilirsiniz. Infineon markası, çeşitli sektörlerde kullanılan yüksek kaliteli parçalarıyla tanınmaktadır. Sitede, farklı Infineon ürün modelleri bulunmaktadır, bu da ihtiyaçlarınıza uygun seçenekler sunar.

Infineon IRF7311PBF ürününü sipariş vermek veya daha fazla detay öğrenmek için lütfen bizimle iletişime geçin. Ürünü doğrulamak veya diğer modelleri incelemek için yardımcı olmaktan memnuniyet duyarız.

Bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin. Doğru parçayı en güvenilir şekilde ulaştırmak için buradayız. Müşteri memnuniyeti ve ürün kalitesi bizim önceliğimizdir. Sizlere en iyi hizmeti sunmak için buradayız.

Infineon IRF7311PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Drain Current	6.6 A
Drain to Source On Resistance	0.046 Ohms
Drain to Source Voltage	20 V
Forward Transconductance	20 S
Forward Voltage, Diode	1.2 V
Gate to Source Voltage	±12 V
Height	0.059" (1.5mm)
Input Capacitance	900 pF @ 15 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	62.5 °C/W
Length	0.196 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	2 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	18 nC
Turn Off Delay Time	38 ns
Turn On Delay Time	8.1 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	18 nC @ 4.5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	20 V
Width	0 in