Infineon IRF7470PBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 40V,RDS(ON) 9 Milliohms,ID 10A,SO-8,PD 2.5W,VGS +/-12V

Müşterilerimize kendi ülkelerine teslim hizmetiyle Infineon ürünlerini sunmaktan mutluluk duyarız. Fiyatlandırma ve teslim süreleri hakkında detaylı bilgi almak için lütfen bizimle iletişime geçin. Talebinizde, ürün kodları ve istediğiniz detayları içeren bilgileri [email protected] adresimize göndermenizi rica ederiz.

Ürün yelpazemizde geniş bir Infineon seçeneği ve diğer modeller bulunmaktadır. Aradığınız modeli bulamazsanız, bize e-posta atabilir veya Teklif İste formunu doldurabilirsiniz. Firmamız sadece orijinal veya yeni ürünleri sunmaktadır. Bu konuda ayrıca bir talebiniz olursa lütfen bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.

Bu sayfada Infineon IRF7470PBF ürünüyle ilgili detaylı bilgi bulabilirsiniz. Infineon markası, çeşitli sektörlerde kullanılan yüksek kaliteli parçalarıyla tanınmaktadır. Sitede, farklı Infineon ürün modelleri bulunmaktadır, bu da ihtiyaçlarınıza uygun seçenekler sunar.

Infineon IRF7470PBF ürününü sipariş vermek veya daha fazla detay öğrenmek için lütfen bizimle iletişime geçin. Ürünü doğrulamak veya diğer modelleri incelemek için yardımcı olmaktan memnuniyet duyarız.

Bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin. Doğru parçayı en güvenilir şekilde ulaştırmak için buradayız. Müşteri memnuniyeti ve ürün kalitesi bizim önceliğimizdir. Sizlere en iyi hizmeti sunmak için buradayız.

Infineon IRF7470PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain ; Triple Source
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Drain Current	10 A
Drain to Source On Resistance	30 mOhms
Drain to Source Voltage	40 V
Forward Transconductance	27 S
Forward Voltage, Diode	0.8 V
Gate to Source Voltage	±12 V
Height	0.059" (1.5mm)
Input Capacitance	3430 pF @ 20 V
Length	0.196 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	2.5 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	29 nC
Turn Off Delay Time	21 ns
Turn On Delay Time	10 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	29 nC @ 4.5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	40 V
Width	0 in