Infineon IRFS3507PBF
MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 75V,RDS(ON) 7 Milliohms,ID 97A,D2Pak,PD 190W,VGS +/-20VMüşterilerimize kendi ülkelerine teslim hizmetiyle Infineon ürünlerini sunmaktan mutluluk duyarız. Fiyatlandırma ve teslim süreleri hakkında detaylı bilgi almak için lütfen bizimle iletişime geçin. Talebinizde, ürün kodları ve istediğiniz detayları içeren bilgileri [email protected] adresimize göndermenizi rica ederiz.
Ürün yelpazemizde geniş bir Infineon seçeneği ve diğer modeller bulunmaktadır. Aradığınız modeli bulamazsanız, bize e-posta atabilir veya Teklif İste formunu doldurabilirsiniz. Firmamız sadece orijinal veya yeni ürünleri sunmaktadır. Bu konuda ayrıca bir talebiniz olursa lütfen bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.
Bu sayfada Infineon IRFS3507PBF ürünüyle ilgili detaylı bilgi bulabilirsiniz. Infineon markası, çeşitli sektörlerde kullanılan yüksek kaliteli parçalarıyla tanınmaktadır. Sitede, farklı Infineon ürün modelleri bulunmaktadır, bu da ihtiyaçlarınıza uygun seçenekler sunar.
Infineon IRFS3507PBF ürününü sipariş vermek veya daha fazla detay öğrenmek için lütfen bizimle iletişime geçin. Ürünü doğrulamak veya diğer modelleri incelemek için yardımcı olmaktan memnuniyet duyarız.
Bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin. Doğru parçayı en güvenilir şekilde ulaştırmak için buradayız. Müşteri memnuniyeti ve ürün kalitesi bizim önceliğimizdir. Sizlere en iyi hizmeti sunmak için buradayız.
Infineon IRFS3507PBF Specifications
Property | Value |
---|---|
Application | High efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterru |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Dimensions | 10.67 x 9.65 x 4.576 mm |
Drain Current | 97 A |
Drain to Source On Resistance | 8.8 mΩ |
Drain to Source Voltage | 75 V |
Fall Time | 49 ns (Typ.) |
Forward Transconductance | 86 S |
Forward Voltage, Diode | 1.3 V |
Gate to Source Voltage | ± 20 V |
Height | 0.18" (4.576mm) |
Input Capacitance | 3540 pF @ 50 V |
Junction to Ambient Thermal Resistance | 62 °C⁄W |
Length | 0.42" (10.67mm) |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 3 |
Operating and Storage Temperature | -55 to +175 °C (Max.) |
Package Type | D2PAK |
Polarization | N-Channel |
Power Dissipation | 190 W |
Product Header | Hexfet® Power MOSFET |
Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.77 °C⁄W (Max.) |
Series | HEXFET Series |
Temperature Operating Range | -55 to +175 °C |
Total Gate Charge | 88 nC |
Turn Off Delay Time | 52 ns |
Turn On Delay Time | 20 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 88 nC @ 10 V |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | 75 V |
Width | 0.38" (9.65mm) |