Siliconix / Vishay SI2323DS-T1-E3
MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -20V,RDS(ON) 0.031Ohm,ID -3.7A,TO-236 (SOT-23),PD 0.75WMüşterilerimize kendi ülkelerine teslim hizmetiyle Siliconix / Vishay ürünlerini sunmaktan mutluluk duyarız. Fiyatlandırma ve teslim süreleri hakkında detaylı bilgi almak için lütfen bizimle iletişime geçin. Talebinizde, ürün kodları ve istediğiniz detayları içeren bilgileri [email protected] adresimize göndermenizi rica ederiz.
Ürün yelpazemizde geniş bir Siliconix / Vishay seçeneği ve diğer modeller bulunmaktadır. Aradığınız modeli bulamazsanız, bize e-posta atabilir veya Teklif İste formunu doldurabilirsiniz. Firmamız sadece orijinal veya yeni ürünleri sunmaktadır. Bu konuda ayrıca bir talebiniz olursa lütfen bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.
Bu sayfada Siliconix / Vishay SI2323DS-T1-E3 ürünüyle ilgili detaylı bilgi bulabilirsiniz. Siliconix / Vishay markası, çeşitli sektörlerde kullanılan yüksek kaliteli parçalarıyla tanınmaktadır. Sitede, farklı Siliconix / Vishay ürün modelleri bulunmaktadır, bu da ihtiyaçlarınıza uygun seçenekler sunar.
Siliconix / Vishay SI2323DS-T1-E3 ürününü sipariş vermek veya daha fazla detay öğrenmek için lütfen bizimle iletişime geçin. Ürünü doğrulamak veya diğer modelleri incelemek için yardımcı olmaktan memnuniyet duyarız.
Bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin. Doğru parçayı en güvenilir şekilde ulaştırmak için buradayız. Müşteri memnuniyeti ve ürün kalitesi bizim önceliğimizdir. Sizlere en iyi hizmeti sunmak için buradayız.
Siliconix / Vishay SI2323DS-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.02 mm |
| Drain Current | -2.9 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.068 Ohms |
| Drain to Source Voltage | -20 V |
| Forward Transconductance | 16 S |
| Forward Voltage, Diode | 0.75 V |
| Gate to Source Voltage | ±8 V |
| Height | 0.04" (1.02mm) |
| Input Capacitance | 1020 pF @ -10 V |
| Length | 0.119 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Package Type | TO-236 |
| Polarization | P-Channel |
| Power Dissipation | 0.75 W |
| Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
| Series | SI23 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 12.5 nC |
| Turn Off Delay Time | 71 ns |
| Turn On Delay Time | 25 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12.5 nC @ -4.5 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | -20 V |
| Width | 0.055 in |