- Ana Sayfa
- Markalar
- Siliconix / Vishay
- SI4936ADY-T1-E3
Siliconix / Vishay SI4936ADY-T1-E3
Siliconix / Vishay SI4936ADY-T1-E3
MOSFET, Power,Dual N-Ch,VDSS 30V,RDS(ON) 0.032Ohm,ID 4.4A,SO-8,PD 1.1W,VGS+/-20VMüşterilerimize kendi ülkelerine teslim hizmetiyle Siliconix / Vishay ürünlerini sunmaktan mutluluk duyarız. Fiyatlandırma ve teslim süreleri hakkında detaylı bilgi almak için lütfen bizimle iletişime geçin. Talebinizde, ürün kodları ve istediğiniz detayları içeren bilgileri [email protected] adresimize göndermenizi rica ederiz.
Ürün yelpazemizde geniş bir Siliconix / Vishay seçeneği ve diğer modeller bulunmaktadır. Aradığınız modeli bulamazsanız, bize e-posta atabilir veya Teklif İste formunu doldurabilirsiniz. Firmamız sadece orijinal veya yeni ürünleri sunmaktadır. Bu konuda ayrıca bir talebiniz olursa lütfen bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.
Bu sayfada Siliconix / Vishay SI4936ADY-T1-E3 ürünüyle ilgili detaylı bilgi bulabilirsiniz. Siliconix / Vishay markası, çeşitli sektörlerde kullanılan yüksek kaliteli parçalarıyla tanınmaktadır. Sitede, farklı Siliconix / Vishay ürün modelleri bulunmaktadır, bu da ihtiyaçlarınıza uygun seçenekler sunar.
Siliconix / Vishay SI4936ADY-T1-E3 ürününü sipariş vermek veya daha fazla detay öğrenmek için lütfen bizimle iletişime geçin. Ürünü doğrulamak veya diğer modelleri incelemek için yardımcı olmaktan memnuniyet duyarız.
Bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin. Doğru parçayı en güvenilir şekilde ulaştırmak için buradayız. Müşteri memnuniyeti ve ürün kalitesi bizim önceliğimizdir. Sizlere en iyi hizmeti sunmak için buradayız.
Siliconix / Vishay SI4936ADY-T1-E3 Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Configuration | Dual Gate ; Dual Source ; Quad Drain |
Dimensions | 5 x 4 x 1.55 mm |
Drain Current | 4.9 A |
Drain to Source On Resistance | 0.053 Ohms |
Drain to Source Voltage | 30 V |
Forward Transconductance | 15 S |
Forward Voltage, Diode | 0.8 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.061" (1.55mm) |
Length | 0.196 in |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Number of Pins | 8 |
Package Type | SO-8 |
Polarization | Dual N-Channel |
Power Dissipation | 1.1 W |
Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
Series | SI49 Series |
Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
Total Gate Charge | 13 nC |
Turn Off Delay Time | 30 ns |
Turn On Delay Time | 6 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 13 nC @ 15 V |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | 30 V |
Width | 0 in |