Siliconix / Vishay SIRA12DP-T1-GE3
Semiconcuctor,Mosfet;TrenchFET;N-Channel;30V;25A;4.3mohm @ 10V;PowerPAK SO-8Müşterilerimize kendi ülkelerine teslim hizmetiyle Siliconix / Vishay ürünlerini sunmaktan mutluluk duyarız. Fiyatlandırma ve teslim süreleri hakkında detaylı bilgi almak için lütfen bizimle iletişime geçin. Talebinizde, ürün kodları ve istediğiniz detayları içeren bilgileri [email protected] adresimize göndermenizi rica ederiz.
Ürün yelpazemizde geniş bir Siliconix / Vishay seçeneği ve diğer modeller bulunmaktadır. Aradığınız modeli bulamazsanız, bize e-posta atabilir veya Teklif İste formunu doldurabilirsiniz. Firmamız sadece orijinal veya yeni ürünleri sunmaktadır. Bu konuda ayrıca bir talebiniz olursa lütfen bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin.
Bu sayfada Siliconix / Vishay SIRA12DP-T1-GE3 ürünüyle ilgili detaylı bilgi bulabilirsiniz. Siliconix / Vishay markası, çeşitli sektörlerde kullanılan yüksek kaliteli parçalarıyla tanınmaktadır. Sitede, farklı Siliconix / Vishay ürün modelleri bulunmaktadır, bu da ihtiyaçlarınıza uygun seçenekler sunar.
Siliconix / Vishay SIRA12DP-T1-GE3 ürününü sipariş vermek veya daha fazla detay öğrenmek için lütfen bizimle iletişime geçin. Ürünü doğrulamak veya diğer modelleri incelemek için yardımcı olmaktan memnuniyet duyarız.
Bizimle iletişime geçmekten çekinmeyin. Doğru parçayı en güvenilir şekilde ulaştırmak için buradayız. Müşteri memnuniyeti ve ürün kalitesi bizim önceliğimizdir. Sizlere en iyi hizmeti sunmak için buradayız.
Siliconix / Vishay SIRA12DP-T1-GE3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Quad Drain ; Triple Source |
| Dimensions | 5.99 x 5 x 1.07 mm |
| Drain Current | 25 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.006 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 30 V |
| Fall Time | 20 ns |
| Forward Transconductance | 51 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.2 V |
| Gate to Source Voltage | -16, 20 V |
| Height | 0.042" (1.07mm) |
| Input Capacitance | 2070 pF @ 15 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 28 °C/W |
| Length | 0.235 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 8 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to 150 C |
| Package Type | PowerPAK-SO-8 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 31 W |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 4 °C/W |
| Series | TrenchFET Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 13.6 nC |
| Turn Off Delay Time | 25 ns |
| Turn On Delay Time | 20 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 29.5 nC @ 10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 30 V |
| Width | 0 in |