Infineon IRF1010EPBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 60V,RDS(ON) 12 Milliohms,ID 84A,TO-220AB,PD 200W,gFS 69S

نحن سعداء بتقديم منتجات Infineon لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].

لدينا مجموعة واسعة من منتجات Infineon ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.

يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Infineon IRF1010EPBF على هذه الصفحة. تُعرف علامة Infineon بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Infineon، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.

يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Infineon IRF1010EPBF أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.

لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.

Infineon IRF1010EPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.67 x 4.83 x 16.51 mm
Drain Current	84 A
Drain to Source On Resistance	12 mOhms
Drain to Source Voltage	60 V
Forward Transconductance	69 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.65" (16.51mm)
Input Capacitance	3210 pF @ 25 V
Length	0.42 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	200 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	130 nC
Turn Off Delay Time	48 ns
Turn On Delay Time	12 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 130 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	60 V
Width	0 in