Infineon IRF1010EPBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 60V,RDS(ON) 12 Milliohms,ID 84A,TO-220AB,PD 200W,gFS 69S

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Infineon IRF1010EPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.67 x 4.83 x 16.51 mm
Drain Current	84 A
Drain to Source On Resistance	12 mOhms
Drain to Source Voltage	60 V
Forward Transconductance	69 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.65" (16.51mm)
Input Capacitance	3210 pF @ 25 V
Length	0.42 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	200 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	130 nC
Turn Off Delay Time	48 ns
Turn On Delay Time	12 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 130 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	60 V
Width	0 in