- الصفحة الرئيسية
- علامة تجارية
- Infineon
- IRF6623TR1PBF
Infineon IRF6623TR1PBF
Infineon IRF6623TR1PBF
20V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET, DIRECTFET ST PKGنحن سعداء بتقديم منتجات Infineon لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].
لدينا مجموعة واسعة من منتجات Infineon ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.
يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Infineon IRF6623TR1PBF على هذه الصفحة. تُعرف علامة Infineon بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Infineon، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.
يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Infineon IRF6623TR1PBF أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.
لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.
Infineon IRF6623TR1PBF Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | N |
Configuration | Dual Drain, Dual Source |
Dimensions | 4.85 x 3.95 x 0.506 mm |
Drain Current | 55 A |
Drain to Source Voltage | 20 V |
Forward Transconductance | 34 S |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Height | 0.02" (0.506mm) |
Input Capacitance | 1360 pF @ 10 V |
Length | 0.19" (4.85mm) |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 5 |
Package Type | DirectFET ST |
Power Dissipation | 42 W |
Series | HEXFET Series |
Temperature Operating Range | -40 to +150 |
Turn On Delay Time | 9.7 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
Width | 0.156" (3.95mm) |