Infineon IRF6623TR1PBF

20V SINGLE N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET, DIRECTFET ST PKG

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Infineon IRF6623TR1PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain, Dual Source
Dimensions	4.85 x 3.95 x 0.506 mm
Drain Current	55 A
Drain to Source Voltage	20 V
Forward Transconductance	34 S
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.02" (0.506mm)
Input Capacitance	1360 pF @ 10 V
Length	0.19" (4.85mm)
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	5
Package Type	DirectFET ST
Power Dissipation	42 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-40 to +150
Turn On Delay Time	9.7 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	11 nC @ 4.5 V
Width	0.156" (3.95mm)