Infineon IRF7350PBF

100V DUAL N- AND P- CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A SO-8 PACKAGE

نحن سعداء بتقديم منتجات Infineon لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].

لدينا مجموعة واسعة من منتجات Infineon ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.

يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Infineon IRF7350PBF على هذه الصفحة. تُعرف علامة Infineon بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Infineon، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.

يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Infineon IRF7350PBF أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.

لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.

Infineon IRF7350PBF Specifications

Property	Value
Drain Current	2.1/-1.5 A
Drain to Source On Resistance	0.21/0.48 Ohms
Forward Transconductance	2.4/1.1 S
Forward Voltage, Diode	1.3/-1.6 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	62.5 °C/W
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel and P-Channel
Power Dissipation	2 W
Series	HEXFET Series
Total Gate Charge	19/21 nC
Turn Off Delay Time	35/30 ns
Turn On Delay Time	6.7/25 ns
Type	Power
Voltage, Breakdown, Drain to Source	100/-100 V