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Infineon IRF7350PBF
Infineon IRF7350PBF
100V DUAL N- AND P- CHANNEL HEXFET POWER MOSFET IN A SO-8 PACKAGEEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos Infineon com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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Infineon IRF7350PBF Specifications
Property | Value |
---|---|
Drain Current | 2.1/-1.5 A |
Drain to Source On Resistance | 0.21/0.48 Ohms |
Forward Transconductance | 2.4/1.1 S |
Forward Voltage, Diode | 1.3/-1.6 V |
Gate to Source Voltage | ±20 V |
Junction to Ambient Thermal Resistance | 62.5 °C/W |
Operating Temperature | -55 to 150 °C |
Package Type | SO-8 |
Polarization | N-Channel and P-Channel |
Power Dissipation | 2 W |
Series | HEXFET Series |
Total Gate Charge | 19/21 nC |
Turn Off Delay Time | 35/30 ns |
Turn On Delay Time | 6.7/25 ns |
Type | Power |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | 100/-100 V |