Infineon IRF7910TRPBF

MOSFET, Power,Dual N-Ch,VDSS 12V,RDS(ON) 11.5 Milliohms,ID 10A,SO-8,PD 2W,-55C

نحن سعداء بتقديم منتجات Infineon لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].

لدينا مجموعة واسعة من منتجات Infineon ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.

يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Infineon IRF7910TRPBF على هذه الصفحة. تُعرف علامة Infineon بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Infineon، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.

يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Infineon IRF7910TRPBF أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.

لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.

Infineon IRF7910TRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Drain Current	10 A
Drain to Source On Resistance	50 mOhms
Drain to Source Voltage	12 V
Forward Transconductance	18 S
Forward Voltage, Diode	0.85 V
Gate to Source Voltage	±12 V
Height	0.059" (1.5mm)
Input Capacitance	1730 pF @ 6 V
Length	0.196 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Polarization	Dual N-Channel
Power Dissipation	2 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	17 nC
Turn Off Delay Time	16 ns
Turn On Delay Time	9.4 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	17 nC @ 4.5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	12 V
Width	0 in