Infineon IRF7910TRPBF

MOSFET, Power,Dual N-Ch,VDSS 12V,RDS(ON) 11.5 Milliohms,ID 10A,SO-8,PD 2W,-55C

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Infineon IRF7910TRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Dual Drain
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Drain Current	10 A
Drain to Source On Resistance	50 mOhms
Drain to Source Voltage	12 V
Forward Transconductance	18 S
Forward Voltage, Diode	0.85 V
Gate to Source Voltage	±12 V
Height	0.059" (1.5mm)
Input Capacitance	1730 pF @ 6 V
Length	0.196 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Package Type	SO-8
Polarization	Dual N-Channel
Power Dissipation	2 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	17 nC
Turn Off Delay Time	16 ns
Turn On Delay Time	9.4 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	17 nC @ 4.5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	12 V
Width	0 in