Infineon IRF8910PBF
IRF8910PBF Dual N-channel MOSFET Transistor, 10 A, 20 V, 8-Pin SOICنحن سعداء بتقديم منتجات Infineon لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].
لدينا مجموعة واسعة من منتجات Infineon ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.
يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Infineon IRF8910PBF على هذه الصفحة. تُعرف علامة Infineon بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Infineon، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.
يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Infineon IRF8910PBF أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.
لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.
Infineon IRF8910PBF Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Drain Current | 10 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.0134 Ohms |
| Forward Transconductance | 24 S |
| Forward Voltage, Diode | 1 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 62.5 °C/W |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Package Type | SO-8 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 2 W |
| Series | HEXFET Series |
| Total Gate Charge | 7.4 nC |
| Turn Off Delay Time | 9.7 ns |
| Turn On Delay Time | 6.2 ns |
| Type | Dual Power |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 20 V |