Infineon IRF9953TRPBF

IRF9953TRPBF Dual P-channel MOSFET Transistor, 2.3 A, 30 V, 8-Pin SOIC

نحن سعداء بتقديم منتجات Infineon لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].

لدينا مجموعة واسعة من منتجات Infineon ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.

يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Infineon IRF9953TRPBF على هذه الصفحة. تُعرف علامة Infineon بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Infineon، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.

يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Infineon IRF9953TRPBF أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.

لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.

Infineon IRF9953TRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	P
Configuration	Dual Drain
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Drain Current	-2.3 A
Drain to Source On Resistance	0.4 mOhms
Drain to Source Voltage	-30 V
Forward Transconductance	-2.4 S
Forward Voltage, Diode	-1.2 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.059" (1.5mm)
Input Capacitance	190 pF @ -15 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	62.5 °C/W
Length	0.196 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	SO-8
Polarization	P-Channel
Power Dissipation	2 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	6.1 nC
Turn Off Delay Time	20 ns
Turn On Delay Time	9.7 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	6.1 nC @ -10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	-30 V
Width	0 in