Infineon IRF9953TRPBF

IRF9953TRPBF Dual P-channel MOSFET Transistor, 2.3 A, 30 V, 8-Pin SOIC

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Infineon IRF9953TRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	P
Configuration	Dual Drain
Dimensions	5.00 x 4.00 x 1.50 mm
Drain Current	-2.3 A
Drain to Source On Resistance	0.4 mOhms
Drain to Source Voltage	-30 V
Forward Transconductance	-2.4 S
Forward Voltage, Diode	-1.2 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.059" (1.5mm)
Input Capacitance	190 pF @ -15 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	62.5 °C/W
Length	0.196 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	SO-8
Polarization	P-Channel
Power Dissipation	2 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	6.1 nC
Turn Off Delay Time	20 ns
Turn On Delay Time	9.7 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	6.1 nC @ -10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	-30 V
Width	0 in