Infineon IRFH5210TRPBF

MOSFET, 100V, 55A, 14.9 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5x6

نحن سعداء بتقديم منتجات Infineon لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].

لدينا مجموعة واسعة من منتجات Infineon ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.

يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Infineon IRFH5210TRPBF على هذه الصفحة. تُعرف علامة Infineon بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Infineon، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.

يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Infineon IRFH5210TRPBF أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.

لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.

Infineon IRFH5210TRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain ; Triple Source
Dimensions	6.00 x 5.00 x 0.85 mm
Drain Current	55 A
Drain to Source On Resistance	14.9 mOhms
Drain to Source Voltage	100 V
Forward Transconductance	66 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.033" (0.85mm)
Input Capacitance	2570 pF @ 25 V
Length	0.236 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	PQFN
Power Dissipation	104 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Turn Off Delay Time	21 ns
Turn On Delay Time	7.2 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	40 nC @ 10 V
Width	0 in