Infineon IRFH5210TRPBF

MOSFET, 100V, 55A, 14.9 mOhm, 39 nC Qg, PQFN 5x6

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Infineon IRFH5210TRPBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Quad Drain ; Triple Source
Dimensions	6.00 x 5.00 x 0.85 mm
Drain Current	55 A
Drain to Source On Resistance	14.9 mOhms
Drain to Source Voltage	100 V
Forward Transconductance	66 S
Forward Voltage, Diode	1.3 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.033" (0.85mm)
Input Capacitance	2570 pF @ 25 V
Length	0.236 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	8
Package Type	PQFN
Power Dissipation	104 W
Series	HEXFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Turn Off Delay Time	21 ns
Turn On Delay Time	7.2 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	40 nC @ 10 V
Width	0 in