ON Semiconductor MJE13007G

ON Semi NPN High Voltage Bipolar Transistor 8 A 400V 4-Pin TO-220AB

نحن سعداء بتقديم منتجات ON Semiconductor لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].

لدينا مجموعة واسعة من منتجات ON Semiconductor ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.

يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج ON Semiconductor MJE13007G على هذه الصفحة. تُعرف علامة ON Semiconductor بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من ON Semiconductor، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.

يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج ON Semiconductor MJE13007G أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.

لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.

ON Semiconductor MJE13007G Specifications

Property	Value
Collector Current	8 A
Collector to Emitter Voltage	400 V
Configuration	Common Base
Dimensions	10.28 x 4.82 x 15.75 mm
Emitter to Base Voltage	9 V
Height	0.62" (15.75mm)
Length	0.404 in
Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-65 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating Frequency	140 MHz
Package Type	TO-220AB
Polarity	NPN
Power Dissipation	80 W
Primary Type	Si
Product Header	SWITCHMODE™ NPN Bipolar Power Transistor
Resistance, Thermal, Junction to Case	1.56 °C/W
Series	SWITCHMODE Series
Temperature Operating Range	-65 to +150 °C
Transistor Type	NPN
Type	Power
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter	400 V
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	3 V
Voltage, Saturation, Base to Emitter	1.6 V
Width	0 in