ON Semiconductor MJE13007G
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ON Semiconductor MJE13007G Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Collector Current | 8 A |
| Collector to Emitter Voltage | 400 V |
| Configuration | Common Base |
| Dimensions | 10.28 x 4.82 x 15.75 mm |
| Emitter to Base Voltage | 9 V |
| Height | 0.62" (15.75mm) |
| Length | 0.404 in |
| Material | Si |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating Frequency | 140 MHz |
| Package Type | TO-220AB |
| Polarity | NPN |
| Power Dissipation | 80 W |
| Primary Type | Si |
| Product Header | SWITCHMODE™ NPN Bipolar Power Transistor |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 1.56 °C/W |
| Series | SWITCHMODE Series |
| Temperature Operating Range | -65 to +150 °C |
| Transistor Type | NPN |
| Type | Power |
| Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 400 V |
| Voltage, Collector to Emitter, Saturation | 3 V |
| Voltage, Saturation, Base to Emitter | 1.6 V |
| Width | 0 in |