ON Semiconductor MJF44H11G

Transistor, Bipolar,Si,NPN,Power,VCEO 80VDC,IC 10A,PD 36W,TO-220,hFE 40,VCEO 80V

نحن سعداء بتقديم منتجات ON Semiconductor لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].

لدينا مجموعة واسعة من منتجات ON Semiconductor ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.

يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج ON Semiconductor MJF44H11G على هذه الصفحة. تُعرف علامة ON Semiconductor بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من ON Semiconductor، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.

يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج ON Semiconductor MJF44H11G أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.

لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.

ON Semiconductor MJF44H11G Specifications

Property	Value
Collector Current	10 A
Collector to Emitter Voltage	80 V
Configuration	Common Base
Dimensions	10.63 x 4.90 x 16.12 mm
Emitter to Base Voltage	5 V
Height	0.635" (16.12mm)
Length	0.418 in
Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating Frequency	50 MHz
Package Type	TO-220
Polarity	NPN
Power Dissipation	36 W
Primary Type	Si
Product Header	Complementary Power Transistor
Resistance, Thermal, Junction to Case	3.5 °C/W
Series	Transistor Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Transistor Type	NPN
Type	Power
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter	80 V
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	1 V
Voltage, Saturation, Base to Emitter	1.5 V
Width	0 in