ON Semiconductor MJF44H11G

Transistor, Bipolar,Si,NPN,Power,VCEO 80VDC,IC 10A,PD 36W,TO-220,hFE 40,VCEO 80V

Мы рады предложить нашим клиентам продукцию ON Semiconductor с доставкой в вашу страну. Для получения подробной информации о ценах и сроках доставки, пожалуйста, свяжитесь с нами. Просим вас отправить информацию о вашем запросе, включая коды продуктов и детали, которые вас интересуют, на нашу электронную почту [email protected].

В нашем ассортименте широкий выбор продукции ON Semiconductor и других моделей. Если вы не можете найти нужную модель, вы можете отправить нам электронное письмо или заполнить форму запроса. Мы предоставляем только оригинальные или новые товары.

Здесь вы можете найти подробную информацию о продукте ON Semiconductor MJF44H11G. Бренд ON Semiconductor известен высококачественными деталями, используемыми в различных отраслях промышленности. На сайте представлены различные модели ON Semiconductor, что предоставляет варианты, удовлетворяющие ваши потребности.

Для заказа продукта ON Semiconductor MJF44H11G или получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами. Мы рады помочь вам подтвердить продукт или помочь в просмотре других моделей.

Не стесняйтесь связаться с нами. Мы здесь, чтобы доставить правильную деталь надежно. Удовлетворение клиента и качество продукции - наши приоритеты. Мы здесь, чтобы предоставить вам лучшее обслуживание.

ON Semiconductor MJF44H11G Specifications

Property	Value
Collector Current	10 A
Collector to Emitter Voltage	80 V
Configuration	Common Base
Dimensions	10.63 x 4.90 x 16.12 mm
Emitter to Base Voltage	5 V
Height	0.635" (16.12mm)
Length	0.418 in
Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating Frequency	50 MHz
Package Type	TO-220
Polarity	NPN
Power Dissipation	36 W
Primary Type	Si
Product Header	Complementary Power Transistor
Resistance, Thermal, Junction to Case	3.5 °C/W
Series	Transistor Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Transistor Type	NPN
Type	Power
Voltage, Breakdown, Collector to Emitter	80 V
Voltage, Collector to Emitter, Saturation	1 V
Voltage, Saturation, Base to Emitter	1.5 V
Width	0 in