ON Semiconductor NTJD4152PT1G

MOSFET,Dual P-Ch,VDSS -20V,RDS(ON) 215 Milliohms,ID -0.88A,SC-88/SOT-363,gFS 3S

نحن سعداء بتقديم منتجات ON Semiconductor لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].

لدينا مجموعة واسعة من منتجات ON Semiconductor ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.

يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج ON Semiconductor NTJD4152PT1G على هذه الصفحة. تُعرف علامة ON Semiconductor بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من ON Semiconductor، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.

يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج ON Semiconductor NTJD4152PT1G أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.

لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.

ON Semiconductor NTJD4152PT1G Specifications

Property	Value
Channel Type	P
Configuration	Single
Dimensions	2.2 x 1.35 x 1 mm
Drain Current	-0.63 A
Drain to Source On Resistance	1000 mOhms
Drain to Source Voltage	-20 V
Forward Transconductance	3 S
Forward Voltage, Diode	-0.8 V
Gate to Source Voltage	±12 V
Height	0.039" (1mm)
Input Capacitance	155 pF @ -20 V
Length	0.086 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	6
Package Type	SC-88
Polarization	Dual P-Channel
Power Dissipation	0.272 W
Product Header	Dual P-Channel Trench Small Signal MOSFET
Series	NT MOSFET Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	2.2 nC
Turn Off Delay Time	13.5 ns
Turn On Delay Time	5.8 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	2.2 nC @ -4.5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	-20 V
Width	0.053 in