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ON Semiconductor NTJD4152PT1G
ON Semiconductor NTJD4152PT1G
MOSFET,Dual P-Ch,VDSS -20V,RDS(ON) 215 Milliohms,ID -0.88A,SC-88/SOT-363,gFS 3SEstamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos ON Semiconductor com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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ON Semiconductor NTJD4152PT1G Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | P |
Configuration | Single |
Dimensions | 2.2 x 1.35 x 1 mm |
Drain Current | -0.63 A |
Drain to Source On Resistance | 1000 mOhms |
Drain to Source Voltage | -20 V |
Forward Transconductance | 3 S |
Forward Voltage, Diode | -0.8 V |
Gate to Source Voltage | ±12 V |
Height | 0.039" (1mm) |
Input Capacitance | 155 pF @ -20 V |
Length | 0.086 in |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Number of Pins | 6 |
Package Type | SC-88 |
Polarization | Dual P-Channel |
Power Dissipation | 0.272 W |
Product Header | Dual P-Channel Trench Small Signal MOSFET |
Series | NT MOSFET Series |
Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
Total Gate Charge | 2.2 nC |
Turn Off Delay Time | 13.5 ns |
Turn On Delay Time | 5.8 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 2.2 nC @ -4.5 V |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | -20 V |
Width | 0.053 in |