SEMIKRON SKM400GA12E4
IGBT, D-59, IGBT, 1200 V, 565 A, 1200 V, 5.5 V (Typ.), 70 ns (Typ.)نحن سعداء بتقديم منتجات SEMIKRON لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].
لدينا مجموعة واسعة من منتجات SEMIKRON ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.
يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج SEMIKRON SKM400GA12E4 على هذه الصفحة. تُعرف علامة SEMIKRON بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من SEMIKRON، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.
يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج SEMIKRON SKM400GA12E4 أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.
لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.
SEMIKRON SKM400GA12E4 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Collector Current | 565 A |
| Collector to Emitter Shorted Voltage | 1200 V |
| Collector to Emitter Voltage | 1200 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 616 A |
| Dimensions | 106.4 x 61.4 x 36.5 mm |
| Energy Rating | 64 mJ |
| Fall Time | 75 ns |
| Gate Capacitance | 26 nF |
| Gate to Emitter Voltage | 20 V |
| Height | 1.437" (36.5mm) |
| Length | 4.188 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Pins | 4 |
| Operating and Storage Temperature | -40 to 150°C (Operating), -40 to 125°C (Storage) |
| Package Type | Semitrans4 |
| Polarity | N-Channel |
| Primary Type | Si |
| Product Header | SPT N-Channel IGBT Module |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.055 K/W |
| Rise Time | 70 |
| Series | IGBT Series |
| Switching Speed | 12 kHz |
| Temperature Operating Range | -40 to +175 °C |
| Transistor Type | IGBT |
| Type | SPT |
| Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 1200 V |
| Voltage, Saturation, Collector to Emitter | 1200 V |
| Width | 0 in |