SEMIKRON SKM400GA12E4
IGBT, D-59, IGBT, 1200 V, 565 A, 1200 V, 5.5 V (Typ.), 70 ns (Typ.)Estamos felizes em oferecer aos nossos clientes produtos SEMIKRON com entrega nos seus países. Por favor, entre em contato conosco para obter informações detalhadas sobre preços e prazos de entrega. Na sua solicitação, por favor, envie informações com códigos de produtos e detalhes específicos para nosso endereço de e-mail [email protected].
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SEMIKRON SKM400GA12E4 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Collector Current | 565 A |
| Collector to Emitter Shorted Voltage | 1200 V |
| Collector to Emitter Voltage | 1200 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 616 A |
| Dimensions | 106.4 x 61.4 x 36.5 mm |
| Energy Rating | 64 mJ |
| Fall Time | 75 ns |
| Gate Capacitance | 26 nF |
| Gate to Emitter Voltage | 20 V |
| Height | 1.437" (36.5mm) |
| Length | 4.188 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Pins | 4 |
| Operating and Storage Temperature | -40 to 150°C (Operating), -40 to 125°C (Storage) |
| Package Type | Semitrans4 |
| Polarity | N-Channel |
| Primary Type | Si |
| Product Header | SPT N-Channel IGBT Module |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.055 K/W |
| Rise Time | 70 |
| Series | IGBT Series |
| Switching Speed | 12 kHz |
| Temperature Operating Range | -40 to +175 °C |
| Transistor Type | IGBT |
| Type | SPT |
| Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 1200 V |
| Voltage, Saturation, Collector to Emitter | 1200 V |
| Width | 0 in |