SEMIKRON SKM400GA12E4
IGBT, D-59, IGBT, 1200 V, 565 A, 1200 V, 5.5 V (Typ.), 70 ns (Typ.)Nous sommes heureux de proposer à nos clients des produits SEMIKRON avec livraison dans leurs pays respectifs. Veuillez nous contacter pour des informations détaillées sur les prix et les délais de livraison. Dans votre demande, veuillez envoyer des informations contenant les codes produits et des détails spécifiques à notre adresse [email protected].
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SEMIKRON SKM400GA12E4 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Collector Current | 565 A |
| Collector to Emitter Shorted Voltage | 1200 V |
| Collector to Emitter Voltage | 1200 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 616 A |
| Dimensions | 106.4 x 61.4 x 36.5 mm |
| Energy Rating | 64 mJ |
| Fall Time | 75 ns |
| Gate Capacitance | 26 nF |
| Gate to Emitter Voltage | 20 V |
| Height | 1.437" (36.5mm) |
| Length | 4.188 in |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Pins | 4 |
| Operating and Storage Temperature | -40 to 150°C (Operating), -40 to 125°C (Storage) |
| Package Type | Semitrans4 |
| Polarity | N-Channel |
| Primary Type | Si |
| Product Header | SPT N-Channel IGBT Module |
| Resistance, Thermal, Junction to Case | 0.055 K/W |
| Rise Time | 70 |
| Series | IGBT Series |
| Switching Speed | 12 kHz |
| Temperature Operating Range | -40 to +175 °C |
| Transistor Type | IGBT |
| Type | SPT |
| Voltage, Breakdown, Collector to Emitter | 1200 V |
| Voltage, Saturation, Collector to Emitter | 1200 V |
| Width | 0 in |