Siliconix / Vishay SI1013R-T1-GE3

MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -20V,RDS(ON) 0.8Ohm,ID -350mA,SC-75A (SOT-416),PD 150mW

نحن سعداء بتقديم منتجات Siliconix / Vishay لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].

لدينا مجموعة واسعة من منتجات Siliconix / Vishay ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.

يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Siliconix / Vishay SI1013R-T1-GE3 على هذه الصفحة. تُعرف علامة Siliconix / Vishay بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Siliconix / Vishay، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.

يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Siliconix / Vishay SI1013R-T1-GE3 أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.

لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.

Siliconix / Vishay SI1013R-T1-GE3 Specifications

Property	Value
Channel Type	P
Configuration	Single
Dimensions	1.68 x 0.86 x 0.8 mm
Drain Current	-0.35 A
Drain to Source On Resistance	2.7 Ohms
Drain to Source Voltage	-20 V
Forward Transconductance	0.4 S
Forward Voltage, Diode	-0.8 V
Gate to Source Voltage	±6 V
Height	0.031" (0.8mm)
Length	0.066 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	SC-75A
Polarization	P-Channel
Power Dissipation	0.15 W
Product Header	TrenchFET® Power MOSFET
Series	SI10 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	1.5 nC
Turn Off Delay Time	35 ns
Turn On Delay Time	5 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	1500 nC @ -10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	-20 V
Width	0.034 in