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Siliconix / Vishay SI1013R-T1-GE3
Siliconix / Vishay SI1013R-T1-GE3
MOSFET, Power,P-Ch,VDSS -20V,RDS(ON) 0.8Ohm,ID -350mA,SC-75A (SOT-416),PD 150mWNos complace ofrecer a nuestros clientes productos Siliconix / Vishay con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Siliconix / Vishay SI1013R-T1-GE3 Specifications
Property | Value |
---|---|
Channel Type | P |
Configuration | Single |
Dimensions | 1.68 x 0.86 x 0.8 mm |
Drain Current | -0.35 A |
Drain to Source On Resistance | 2.7 Ohms |
Drain to Source Voltage | -20 V |
Forward Transconductance | 0.4 S |
Forward Voltage, Diode | -0.8 V |
Gate to Source Voltage | ±6 V |
Height | 0.031" (0.8mm) |
Length | 0.066 in |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Number of Pins | 3 |
Package Type | SC-75A |
Polarization | P-Channel |
Power Dissipation | 0.15 W |
Product Header | TrenchFET® Power MOSFET |
Series | SI10 Series |
Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
Total Gate Charge | 1.5 nC |
Turn Off Delay Time | 35 ns |
Turn On Delay Time | 5 ns |
Typical Gate Charge @ Vgs | 1500 nC @ -10 V |
Voltage, Breakdown, Drain to Source | -20 V |
Width | 0.034 in |