Siliconix / Vishay SI2306BDS-T1-E3
MOSFET, N-Ch., 30 V(D-S), 0.047 Ohm @ 10 V(GS), 4 A, TO-236 (SOT-23)نحن سعداء بتقديم منتجات Siliconix / Vishay لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].
لدينا مجموعة واسعة من منتجات Siliconix / Vishay ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.
يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Siliconix / Vishay SI2306BDS-T1-E3 على هذه الصفحة. تُعرف علامة Siliconix / Vishay بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Siliconix / Vishay، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.
يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Siliconix / Vishay SI2306BDS-T1-E3 أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.
لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.
Siliconix / Vishay SI2306BDS-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.02 mm |
| Drain Current | 4 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.065 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 30 V |
| Fall Time | 10 ns |
| Forward Transconductance | 7 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.2 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.04" (1.02mm) |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 100 °C/W |
| Length | 0.119 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +150 C |
| Package Type | TO-236 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 1.25 W |
| Series | SI23 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 4.5 nC |
| Turn Off Delay Time | 25 ns |
| Turn On Delay Time | 11 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14 nC @ -4 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 30 V |
| Width | 0.055 in |