Siliconix / Vishay SI2306BDS-T1-E3
MOSFET, N-Ch., 30 V(D-S), 0.047 Ohm @ 10 V(GS), 4 A, TO-236 (SOT-23)Nos complace ofrecer a nuestros clientes productos Siliconix / Vishay con entrega en sus respectivos países. Por favor, contáctenos para obtener información detallada sobre precios y tiempos de entrega. En su solicitud, envíe información con códigos de productos y detalles específicos a nuestra dirección de correo electrónico [email protected].
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Siliconix / Vishay SI2306BDS-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.02 mm |
| Drain Current | 4 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.065 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 30 V |
| Fall Time | 10 ns |
| Forward Transconductance | 7 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.2 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Height | 0.04" (1.02mm) |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 100 °C/W |
| Length | 0.119 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +150 C |
| Package Type | TO-236 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 1.25 W |
| Series | SI23 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 4.5 nC |
| Turn Off Delay Time | 25 ns |
| Turn On Delay Time | 11 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14 nC @ -4 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 30 V |
| Width | 0.055 in |