Siliconix / Vishay SI2312BDS-T1-E3

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

نحن سعداء بتقديم منتجات Siliconix / Vishay لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].

لدينا مجموعة واسعة من منتجات Siliconix / Vishay ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.

يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Siliconix / Vishay SI2312BDS-T1-E3 على هذه الصفحة. تُعرف علامة Siliconix / Vishay بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Siliconix / Vishay، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.

يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Siliconix / Vishay SI2312BDS-T1-E3 أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.

لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.

Siliconix / Vishay SI2312BDS-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	3.04 x 1.4 x 1.02 mm
Drain Current	5 A
Drain to Source On Resistance	0.047 Ohms
Drain to Source Voltage	20 V
Fall Time	15 ns
Forward Transconductance	30 S
Forward Voltage, Diode	1.2 V
Gate to Source Voltage	±8 V
Height	0.04" (1.02mm)
Junction to Ambient Thermal Resistance	100 °C/W
Length	0.119 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating and Storage Temperature	-55 to +150 C
Package Type	TO-236
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	1.25 W
Series	SI23 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	12 nC
Turn Off Delay Time	55 ns
Turn On Delay Time	15 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	7.5 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	20 V
Width	0.055 in