Siliconix / Vishay SI2312BDS-T1-E3
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Siliconix / Vishay SI2312BDS-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.02 mm |
| Drain Current | 5 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.047 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 20 V |
| Fall Time | 15 ns |
| Forward Transconductance | 30 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.2 V |
| Gate to Source Voltage | ±8 V |
| Height | 0.04" (1.02mm) |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 100 °C/W |
| Length | 0.119 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Number of Pins | 3 |
| Operating and Storage Temperature | -55 to +150 C |
| Package Type | TO-236 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 1.25 W |
| Series | SI23 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 12 nC |
| Turn Off Delay Time | 55 ns |
| Turn On Delay Time | 15 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 20 V |
| Width | 0.055 in |