Siliconix / Vishay SI4532ADY-T1-E3

SI4532ADY-T1-E3 Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 3 A, 3.7 A, 30 V, 8-Pin SOIC

نحن سعداء بتقديم منتجات Siliconix / Vishay لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].

لدينا مجموعة واسعة من منتجات Siliconix / Vishay ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.

يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Siliconix / Vishay SI4532ADY-T1-E3 على هذه الصفحة. تُعرف علامة Siliconix / Vishay بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Siliconix / Vishay، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.

يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Siliconix / Vishay SI4532ADY-T1-E3 أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.

لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.

Siliconix / Vishay SI4532ADY-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N, P
Configuration	Dual Gate, Dual Source, Quad Drain
Dimensions	5 x 4 x 1.55 mm
Drain Current	-3, 3.7 A
Drain to Source On Resistance	0.075, 0.135 Ω
Drain to Source Voltage	-30, 30 V
Forward Transconductance	5, 11 S
Forward Voltage, Diode	0.8/-0.82 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.061" (1.55mm)
Junction to Ambient Thermal Resistance	110/105 °C/W
Length	0.196" (5mm)
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel and P-Channel
Power Dissipation	1.13, 1.2 W
Series	SI45 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	8/10 nC
Turn Off Delay Time	21, 23 ns
Turn On Delay Time	8, 12 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	10 nC @ 10 V, 8 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30/-30 V
Width	0.157" (4mm)