Siliconix / Vishay SI4532ADY-T1-E3

SI4532ADY-T1-E3 Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 3 A, 3.7 A, 30 V, 8-Pin SOIC

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Siliconix / Vishay SI4532ADY-T1-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N, P
Configuration	Dual Gate, Dual Source, Quad Drain
Dimensions	5 x 4 x 1.55 mm
Drain Current	-3, 3.7 A
Drain to Source On Resistance	0.075, 0.135 Ω
Drain to Source Voltage	-30, 30 V
Forward Transconductance	5, 11 S
Forward Voltage, Diode	0.8/-0.82 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.061" (1.55mm)
Junction to Ambient Thermal Resistance	110/105 °C/W
Length	0.196" (5mm)
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel and P-Channel
Power Dissipation	1.13, 1.2 W
Series	SI45 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	8/10 nC
Turn Off Delay Time	21, 23 ns
Turn On Delay Time	8, 12 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	10 nC @ 10 V, 8 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30/-30 V
Width	0.157" (4mm)