Siliconix / Vishay SI4814BDY-T1-E3
MOSFET, Power, Dual N-Channel, 0.0145 Ohms (Channel1), 0.015 Ohms (Channel2)نحن سعداء بتقديم منتجات Siliconix / Vishay لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].
لدينا مجموعة واسعة من منتجات Siliconix / Vishay ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.
يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Siliconix / Vishay SI4814BDY-T1-E3 على هذه الصفحة. تُعرف علامة Siliconix / Vishay بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Siliconix / Vishay، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.
يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Siliconix / Vishay SI4814BDY-T1-E3 أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.
لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.
Siliconix / Vishay SI4814BDY-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Application | DC/DC converters, notebook |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Dimensions | 5 x 4 x 1.55 mm |
| Drain Current | 10 to 10.5 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.023 to 0.22 Ohms |
| Drain to Source Voltage | 30 V |
| Forward Transconductance | 30, 35 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.1/0.5 V |
| Gate to Source Voltage | 20 V |
| Height | 0.061" (1.55mm) |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 54/47 °C/W |
| Length | 0.196 in |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Number of Pins | 8 |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Package Type | SO-8 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 3.3 ; 3.5 W |
| Series | SI48 Series |
| Temperature Operating Range | -55 to +150 °C |
| Total Gate Charge | 6.6/8.9 nC |
| Turn Off Delay Time | 21, 27 ns |
| Turn On Delay Time | 8, 9 ns |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6.6 nC @ 4.5 V, 8.9 nC @ 4.5 V |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 30 V |
| Width | 0 in |