Siliconix / Vishay SI4814BDY-T1-E3

MOSFET, Power, Dual N-Channel, 0.0145 Ohms (Channel1), 0.015 Ohms (Channel2)

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Siliconix / Vishay SI4814BDY-T1-E3 Specifications

Property	Value
Application	DC/DC converters, notebook
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	5 x 4 x 1.55 mm
Drain Current	10 to 10.5 A
Drain to Source On Resistance	0.023 to 0.22 Ohms
Drain to Source Voltage	30 V
Forward Transconductance	30, 35 S
Forward Voltage, Diode	1.1/0.5 V
Gate to Source Voltage	20 V
Height	0.061" (1.55mm)
Junction to Ambient Thermal Resistance	54/47 °C/W
Length	0.196 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Number of Pins	8
Operating Temperature	-55 to 150 °C
Package Type	SO-8
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	3.3 ; 3.5 W
Series	SI48 Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	6.6/8.9 nC
Turn Off Delay Time	21, 27 ns
Turn On Delay Time	8, 9 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	6.6 nC @ 4.5 V, 8.9 nC @ 4.5 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30 V
Width	0 in