Siliconix / Vishay SI9945AEY-T1-E3
MOSFET, Power; Dual N; 60 V; + 20 V; 2.4 W; SO-8; 75 A (Continuous); -55 degCنحن سعداء بتقديم منتجات Siliconix / Vishay لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].
لدينا مجموعة واسعة من منتجات Siliconix / Vishay ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.
يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Siliconix / Vishay SI9945AEY-T1-E3 على هذه الصفحة. تُعرف علامة Siliconix / Vishay بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Siliconix / Vishay، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.
يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Siliconix / Vishay SI9945AEY-T1-E3 أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.
لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.
Siliconix / Vishay SI9945AEY-T1-E3 Specifications
| Property | Value |
|---|---|
| Drain Current | +/-3.7 A |
| Drain to Source On Resistance | 0.08 Ohms |
| Forward Transconductance | 11 S |
| Forward Voltage, Diode | 1.2 V |
| Gate to Source Voltage | ±20 V |
| Junction to Ambient Thermal Resistance | 93 °C/W |
| Operating Temperature | -55 to 175 °C |
| Package Type | SO-8 |
| Polarization | N-Channel |
| Power Dissipation | 2.4 W |
| Series | SI99 Series |
| Total Gate Charge | 11 nC |
| Turn Off Delay Time | 21 ns |
| Turn On Delay Time | 9 ns |
| Type | Dual Power |
| Voltage, Breakdown, Drain to Source | 60 V |