Siliconix / Vishay SUP85N03-04P-E3

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 30V,RDS(ON) 0.0035Ohm,ID 85A,TO-220AB,PD 166W,VGS +/-20V

نحن سعداء بتقديم منتجات Siliconix / Vishay لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].

لدينا مجموعة واسعة من منتجات Siliconix / Vishay ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.

يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Siliconix / Vishay SUP85N03-04P-E3 على هذه الصفحة. تُعرف علامة Siliconix / Vishay بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Siliconix / Vishay، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.

يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Siliconix / Vishay SUP85N03-04P-E3 أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.

لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.

Siliconix / Vishay SUP85N03-04P-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.51 x 4.65 x 15.49 mm
Drain Current	85 A
Drain to Source On Resistance	0.008 Ohms
Drain to Source Voltage	30 V
Fall Time	35 ns
Forward Transconductance	30 S
Forward Voltage, Diode	1.5 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.61" (15.49mm)
Input Capacitance	4500 pF @ 25 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	40 °C/W
Length	0.413 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating and Storage Temperature	-55 to +175 C
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	166 W
Product Header	TrenchFET® Power MOSFET
Resistance, Thermal, Junction to Case	0.9 °C/W
Series	SUP Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	90 nC
Turn Off Delay Time	50 ns
Turn On Delay Time	15 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	71 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30 V
Width	0 in