Siliconix / Vishay SUP85N03-04P-E3

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 30V,RDS(ON) 0.0035Ohm,ID 85A,TO-220AB,PD 166W,VGS +/-20V

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Siliconix / Vishay SUP85N03-04P-E3 Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.51 x 4.65 x 15.49 mm
Drain Current	85 A
Drain to Source On Resistance	0.008 Ohms
Drain to Source Voltage	30 V
Fall Time	35 ns
Forward Transconductance	30 S
Forward Voltage, Diode	1.5 V
Gate to Source Voltage	±20 V
Height	0.61" (15.49mm)
Input Capacitance	4500 pF @ 25 V
Junction to Ambient Thermal Resistance	40 °C/W
Length	0.413 in
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Operating and Storage Temperature	-55 to +175 C
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	166 W
Product Header	TrenchFET® Power MOSFET
Resistance, Thermal, Junction to Case	0.9 °C/W
Series	SUP Series
Temperature Operating Range	-55 to +175 °C
Total Gate Charge	90 nC
Turn Off Delay Time	50 ns
Turn On Delay Time	15 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	71 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	30 V
Width	0 in