Vishay PCS IRFBE30PBF

MOSFET, Power,N-Ch,VDSS 800V,RDS(ON) 3 Ohms,ID 4.1A,TO-220AB,PD 125W,VGS +/-20V

نحن سعداء بتقديم منتجات Vishay PCS لعملائنا مع خدمة التسليم إلى بلدانكم. يُرجى التواصل معنا للحصول على معلومات مفصلة حول التسعير وأوقات التسليم. يُرجى إرسال معلومات طلبك، بما في ذلك رموز المنتج والتفاصيل التي ترغب فيها، إلى عنوان البريد الإلكتروني [email protected].

لدينا مجموعة واسعة من منتجات Vishay PCS ونماذج أخرى في مجموعتنا. إذا لم تتمكن من العثور على النموذج الذي تبحث عنه، يمكنك إرسال بريد إلكتروني أو ملء نموذج طلب العرض. نحن نقدم فقط المنتجات الأصلية أو الجديدة.

يمكنك العثور على معلومات مفصلة حول المنتج Vishay PCS IRFBE30PBF على هذه الصفحة. تُعرف علامة Vishay PCS بأجزائها عالية الجودة المستخدمة في مجموعة متنوعة من الصناعات. يحتوي الموقع على نماذج مختلفة من Vishay PCS، مما يوفر خيارات تلبي احتياجاتك.

يرجى الاتصال بنا لطلب المنتج Vishay PCS IRFBE30PBF أو لمعرفة المزيد من التفاصيل. نحن سعداء بتأكيد المنتج أو مساعدتك في استعراض النماذج الأخرى.

لا تتردد في التواصل معنا. نحن هنا لتوصيل القطعة الصحيحة بأمان. رضا العملاء وجودة المنتج هي أولويتنا. نحن هنا لتقديم أفضل خدمة لك.

Vishay PCS IRFBE30PBF Specifications

Property	Value
Channel Type	N
Configuration	Single
Dimensions	10.51 x 4.65 x 15.49 mm
Drain Current	4.1 A
Drain to Source On Resistance	3 Ohms
Drain to Source Voltage	800 V
Forward Transconductance	2.5 S
Forward Voltage, Diode	1.8 V
Gate to Source Voltage	+/-20 V
Height	0.61" (15.49mm)
Input Capacitance	1300 pF @ 25 V
Length	0.413 in
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Number of Pins	3
Package Type	TO-220AB
Polarization	N-Channel
Power Dissipation	125 W
Product Header	Hexfet® Power MOSFET
Series	IRF Series
Temperature Operating Range	-55 to +150 °C
Total Gate Charge	78 nC
Turn Off Delay Time	82 ns
Turn On Delay Time	12 ns
Typical Gate Charge @ Vgs	Maximum of 78 nC @ 10 V
Voltage, Breakdown, Drain to Source	800 V
Width	0 in